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類別
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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CoolMOS™ P7
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包裝
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零件狀態(tài)
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在售
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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MOSFET(金屬氧化物)
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漏源電壓(Vdss)
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600 V
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25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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48A(Tc)
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驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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10V
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不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)
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60 毫歐 @ 15.9A,10V
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不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
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4V @ 800µA
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不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
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67 nC @ 10 V
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Vgs(最大值)
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±20V
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
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2895 pF @ 400 V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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164W(Tc)
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安裝類型
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通孔
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供應(yīng)商器件封裝
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PG-TO247-3
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封裝/外殼
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TO-247-3
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