 |
 |
目.gif) |
|
|
品.gif) |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
類型
|
描述
|
選擇
|
|---|---|---|
|
類別
|
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
|
|
|
制造商
|
Infineon Technologies
|
|
|
系列
|
CoolMOS™ P7
|
|
|
包裝
|
管件
|
|
|
零件狀態(tài)
|
在售
|
|
|
FET 類型
|
N 通道
|
|
|
技術(shù)
|
MOSFET（金屬氧化物）
|
|
|
漏源電壓（Vdss）
|
600 V
|
|
|
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
|
37A（Tc）
|
|
|
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
|
10V
|
|
|
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
|
80 毫歐 @ 11.8A，10V
|
|
|
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
|
4V @ 590µA
|
|
|
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
|
51 nC @ 10 V
|
|
|
Vgs（最大值）
|
±20V
|
|
|
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
|
2180 pF @ 400 V
|
|
|
FET 功能
|
-
|
|
|
功率耗散（最大值）
|
129W（Tc）
|
|
|
工作溫度
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
|
安裝類型
|
通孔
|
|
|
供應(yīng)商器件封裝
|
PG-TO247-4
|
|
|
封裝/外殼
|
TO-247-4
|
