據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)12月23日?qǐng)?bào)道,美國(guó)得克薩斯A&M大學(xué)物理學(xué)家杰羅·斯納夫領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)國(guó)際科研小組在23日出版的《科學(xué)》雜志上宣布,他們研制出了首個(gè)能在高溫下工作的自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),該設(shè)備由電力控制,其功能基于電子的自旋,其中包含一個(gè)與門(mén)邏輯設(shè)備。新突破將給半導(dǎo)體納米電子學(xué)和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來(lái)新氣象。
英國(guó)日立劍橋?qū)嶒?yàn)室、劍橋大學(xué)、諾丁漢大學(xué)、捷克科學(xué)院和查爾斯大學(xué)的研究人員首次將自旋—螺旋狀態(tài)和異?;魻栃?yīng)結(jié)合在一起,制造出了這種自旋FET,其中包括一個(gè)與門(mén)邏輯設(shè)備,自旋FET的概念于1989年首次提出,這是科學(xué)家首次在其中實(shí)現(xiàn)與門(mén)邏輯設(shè)備。
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