據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)12月23日?qǐng)?bào)道，美國(guó)得克薩斯A&M大學(xué)物理學(xué)家杰羅·斯納夫領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)國(guó)際科研小組在23日出版的《科學(xué)》雜志上宣布，他們研制出了首個(gè)能在高溫下工作的自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），該設(shè)備由電力控制，其功能基于電子的自旋，其中包含一個(gè)與門(mén)邏輯設(shè)備。新突破將給半導(dǎo)體納米電子學(xué)和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來(lái)新氣象。
　　英國(guó)日立劍橋?qū)嶒?yàn)室、劍橋大學(xué)、諾丁漢大學(xué)、捷克科學(xué)院和查爾斯大學(xué)的研究人員首次將自旋—螺旋狀態(tài)和異?；魻栃?yīng)結(jié)合在一起，制造出了這種自旋FET，其中包括一個(gè)與門(mén)邏輯設(shè)備，自旋FET的概念于1989年首次提出，這是科學(xué)家首次在其中實(shí)現(xiàn)與門(mén)邏輯設(shè)備。
免責(zé)聲明：本網(wǎng)轉(zhuǎn)載自其它媒體的文章，目的在于弘揚(yáng)科技創(chuàng)新精神，傳遞更多科技創(chuàng)新信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，在此我們謹(jǐn)向原作者和原媒體致以崇高敬意。如果您認(rèn)為本站文章侵犯了您的版權(quán)，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們將第一時(shí)間刪除。