10月14日，葛店開發(fā)區(qū)召開現場辦公會，區(qū)住建局、審批局、國土分局、環(huán)保局等20個部門集中為三安光電項目規(guī)劃建設解難題。

據了解，三安光電Mini／Micro顯示芯片產業(yè)化項目是我國首個大規(guī)模微發(fā)光二極管芯片項目（Mini／Micro LED），于4月24日簽約，并于7月29日在葛店開發(fā)區(qū)舉行了開工儀式。該項目計劃總投資120億元，用地約756畝，將爭取在各項手續(xù)完備后36個月內完成項目建設并實現投產，48個月內實現達產；爭取在各項手續(xù)齊備、相關配套設施完備的前提下，一期投資在24個月內完成項目建設并投產。

目前，三安光電項目前期工作人員已入駐，湖北三安光電有限公司已于6月25日注冊成立，并于7月15日完成項目備案。葛店開發(fā)區(qū)已向三安光電提供用地選址及地塊周邊生產要素資料，三安光電于7月21日完成可研報告，9月下旬完成規(guī)劃初步方案，項目環(huán)評及安評等正在進行中。

三安光電Mini／Micro LED芯片項目，將建成Mini／Micro LED氮化鎵芯片、Mini／Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產品系列的研發(fā)生產基地，預計將形成年產Mini LED芯片210萬片、Micro LED芯片26萬片、4K顯示屏用封裝產品84000臺的研發(fā)制造能力。預計氮化鎵芯片系列年產161萬片（其中藍光Mini LED 72萬片／年，藍光Micro LED 9萬片／年，綠光Mini LED 72萬片／年，綠光Micro LED 8萬片／年）；砷化鎵芯片系列年產75萬片（其中紅光Mini LED 66萬片／年，紅光Micro LED 9萬片／年）。