存儲芯片行業(yè)在平面上增加存儲數(shù)據(jù)的存儲單元上存在著局限性，人們一直通過縱向堆積的3D技術來擴展容量。例如，韓國SK海力士（Hynix）公司的存儲單元最高值為48層。該公司最近公布他們的技術可以將存儲單元提升至72層。通過這一技術，該公司成功開發(fā)出72層256Gb容量的閃存存儲芯片。

  此前，三星電子于2016年年底開始了第四代產(chǎn)品，即堆積64層存儲單元，批量生產(chǎn)了256Gb的快閃內(nèi)存芯片，而此次SK海力士公司的72層疊層生產(chǎn)是世界首創(chuàng)。SK海力士對外公布稱，可以最大限度地靈活使用現(xiàn)有的批量生產(chǎn)設備，比起現(xiàn)在正在生產(chǎn)的48層產(chǎn)品，其生產(chǎn)性能高出30%。此外，芯片內(nèi)部適用高速電路設計，速度提高兩倍，閱讀和書寫性能也提高了20%左右。
  
  得益于人工智能、大數(shù)據(jù)、云存儲等，人們對3D快閃的需求正大大增加。市場調(diào)查機構(gòu)Gartner預測，今年全球快閃芯片市場規(guī)模為465億美元，2021年將達到565億美元。

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