編者按:為展示我省依靠科技創(chuàng)新加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力、增強(qiáng)發(fā)展新動(dòng)能的成效亮點(diǎn),我們推出“河北創(chuàng)新成果云上展”專欄,將河北省科技成果展示服務(wù)大廳一批優(yōu)中選優(yōu)展品搬到網(wǎng)上,為大家介紹科技成果的創(chuàng)新亮點(diǎn),講解成果研發(fā)背后的故事,帶您足不出戶了解我省標(biāo)志性科技成果。這些成果或是國(guó)家和我省科技獎(jiǎng)勵(lì)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目,或是打破技術(shù)瓶頸的前沿成果,或是與民生息息相關(guān)的創(chuàng)新成果。
今天,請(qǐng)河北同光半導(dǎo)體股份有限公司介紹產(chǎn)品品質(zhì)比肩國(guó)際先進(jìn)水平的碳化硅晶片。
成果名稱:碳化硅晶片
研發(fā)單位:河北同光半導(dǎo)體股份有限公司
支撐平臺(tái):河北省碳化硅單晶材料制備技術(shù)創(chuàng)新中心
當(dāng)前,5G基站、人工智能、新能源汽車等發(fā)展迅速,而這些都離不開第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用。碳化硅單晶襯底材料作為第三代半導(dǎo)體材料中技術(shù)最為成熟的產(chǎn)品之一,已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于高頻、高溫、強(qiáng)輻射等工作環(huán)境中。河北同光半導(dǎo)體股份有限公司與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所等科研機(jī)構(gòu)密切合作,深化與李樹深、夏建白等多名院士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合攻關(guān),攻克了高純碳化硅原料合成、缺陷控制、雜質(zhì)含量、產(chǎn)品優(yōu)良率等關(guān)鍵核心技術(shù),掌握了“高品質(zhì)、低缺陷碳化硅單晶襯底”制備技術(shù),研發(fā)的碳化硅單晶襯底具有寬禁帶、耐擊穿的特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了規(guī)?;a(chǎn)。
目前,河北同光碳化硅單晶襯底產(chǎn)品尺寸已涵蓋4英寸、6英寸、8英寸,類型分為高純半絕緣型和導(dǎo)電型。其中,高純半絕緣型襯底的雜質(zhì)含量等技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平;導(dǎo)電型襯底已取得關(guān)鍵工程化技術(shù)突破,達(dá)到車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體芯片應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。2023年,企業(yè)營(yíng)業(yè)收入突破5.3億元,產(chǎn)品品質(zhì)獲得國(guó)內(nèi)外客戶高度認(rèn)可。
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