由英國國家石墨烯研究所領導的團隊,利用無機印模在超高真空環(huán)境中精確地將二維晶體“拾取并放置”到多達8個單層的范德華異質結構中,創(chuàng)建最干凈、最均勻的二維材料堆棧。該技術具有三個方面先進性:一是原子級清潔界面,新的印模設計能夠在擴展區(qū)域的堆疊二維材料之間創(chuàng)建原子級清潔界面,這是對現(xiàn)有技術的重大改進。二是減少應變不均勻性,新沖壓設計提供的剛性已被證明可以大大減少組裝堆棧中的應變不均勻性。三是可擴展性,二維材料毫米級區(qū)域的清潔轉移,在下一代電子設備中的使用潛力大。
相關研究結果發(fā)表在《自然·電子》雜志上。
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