據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，IBM蘇黎世研發(fā)中心的科學(xué)家17日宣布，他們?cè)谙嘧兇鎯?chǔ)（PCM）技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破——首次實(shí)現(xiàn)了單個(gè)相變存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3個(gè)比特的數(shù)據(jù)。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產(chǎn)業(yè)化步伐，最終為物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)提供一種簡(jiǎn)單且快速的存儲(chǔ)方式。
  目前的存儲(chǔ)器種類(lèi)包括最常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、硬盤(pán)以及閃存等。過(guò)去幾年，PCM作為一種潛在的通用存儲(chǔ)技術(shù)，因擁有良好的讀寫(xiě)速度、耐用性以及非易失性等優(yōu)勢(shì)，成為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的“后起之秀”。PCM在斷電時(shí)不會(huì)像DRAM那樣丟失數(shù)據(jù)，能承受至少1000萬(wàn)次寫(xiě)循環(huán)，而閃存僅能耐受3000次寫(xiě)循環(huán)。但由于現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)的經(jīng)濟(jì)效益遠(yuǎn)高于新的替代技術(shù)，相變存儲(chǔ)技術(shù)目前尚未在市場(chǎng)上蓬勃發(fā)展。
  PCM材料擁有非結(jié)晶態(tài)和結(jié)晶態(tài)兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)。為了在PCM的單元內(nèi)存儲(chǔ)“0”和“1”，先要向其施加一個(gè)高的或中等電流，“0”被編入非結(jié)晶態(tài)，“1”則被編入結(jié)晶態(tài)或者相反；再朝其施加低電壓，就能讀回寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。2011年，IBM曾實(shí)現(xiàn)在單個(gè)相變存儲(chǔ)單元中保存1個(gè)比特的數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在，IBM再下一城，首次成功地在單個(gè)單元內(nèi)存儲(chǔ)了3個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)。
  論文作者之一哈里斯·普茲迪斯說(shuō)：“相變存儲(chǔ)是通用存儲(chǔ)器的首個(gè)實(shí)例，這種存儲(chǔ)器兼具DRAM和閃存的優(yōu)勢(shì)，可以解決我們目前面臨的挑戰(zhàn)。每個(gè)單元可存儲(chǔ)3個(gè)比特的數(shù)據(jù)是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)樵诖嗣芏认?，PCM的成本將比DRAM低很多，接近閃存?！?BR>  研究人員指出，未來(lái)PCM既可以獨(dú)當(dāng)一面，也可作為快速緩沖貯存區(qū)，與閃存等存儲(chǔ)方式強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手。例如，將手機(jī)的操作系統(tǒng)存儲(chǔ)在PCM內(nèi)，手機(jī)則能在數(shù)秒內(nèi)啟動(dòng)；或可將企業(yè)數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)在PCM內(nèi)，用于處理一些如金融交易等的緊急事務(wù)。
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