隨著動態(tài)隨機存儲器存儲密度的提升，電容加工的技術(shù)難度和成本大幅度提高，成為制約動態(tài)隨機存儲器發(fā)展的關(guān)鍵性因素。因此，科研人員一直在尋找可以用于制造動態(tài)隨機存儲器的無電容器件技術(shù)。專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室（復(fù)旦大學(xué)）張衛(wèi)教授團隊長期以來一直從事集成電路工藝和新型半導(dǎo)體器件的研發(fā)，于近期取得重大突破，成功研發(fā)出半浮柵晶體管（SFGT）。采用該新器件構(gòu)成的動態(tài)隨機存儲器，無需電容器便可實現(xiàn)傳統(tǒng)動態(tài)隨機存儲器全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快。此外，半浮柵晶體管還可應(yīng)用于主動式圖像傳感器芯片，提高感光單元密度從而提升圖像傳感器的分辨率和靈敏度。這項研究成果發(fā)表在近日出版的《科學(xué)》雜志上。目前，動態(tài)隨機存儲器、靜態(tài)隨機存儲器和圖像傳感器技術(shù)的核心專利基本上都被美光、三星、英特爾、索尼等國外公司控制。半浮柵晶體管作為一種基礎(chǔ)電子器件，在存儲和圖像傳感等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用市場規(guī)模達到三百億美元以上。該器件的成功研制有助于我國掌握集成電路的核心器件技術(shù)，是我國在新型微電子器件技術(shù)研發(fā)上的一個里程碑。
免責(zé)聲明：本網(wǎng)轉(zhuǎn)載自其它媒體的文章，目的在于弘揚科技創(chuàng)新精神，傳遞更多科技創(chuàng)新信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責(zé)，在此我們謹向原作者和原媒體致以崇高敬意。如果您認為本站文章侵犯了您的版權(quán)，請與我們聯(lián)系，我們將第一時間刪除。