5月22日，由中國光伏行業(yè)協(xié)會主辦的“多晶金剛線切與黑硅技術論壇”在蘇州舉行。保利協(xié)鑫CTO萬躍鵬博士出席會議并作主題發(fā)言，他指出，在過去的四、五年間，多晶產品效率的提升主要來源于晶體結構的改善，并取得了明顯成效，未來多晶效率的提升將更多地來自于絨面結構的改善。

萬博士表示，一直以來，多晶產品憑借性價比優(yōu)勢長期占據(jù)市場主流。這一優(yōu)勢主要來自于鑄錠尺寸的增加，以及晶體結構的改善。數(shù)據(jù)顯示，在鑄錠爐由G5升級為G6的過程中，產品良率、單位產出及能耗都有所改善，最終使平均成本降低約17%。與此同時，多晶在優(yōu)化晶體結構方面取得了長足進步，推動轉換效率提升了1%以上。如今，多晶與單晶在晶體缺陷方面的效率差異已大幅降低到0.2%左右，已十分接近單晶的水平。

而在表面反射率方面，多晶與單晶仍有0.5%左右的效率差異，這將成為未來多晶技術提升轉換效率的主攻方向。萬博士進一步指出，黑硅技術由于能顯著改善多晶硅片的表面結構，并可以借助金剛線切片技術顯著降低加工成本，而成為未來高效多晶技術的理想解決方案。其中干法(RIE)黑硅可促進電池效率提高0.4%-0.6%，濕法(MCCE)黑硅可促進電池效率提高0.2%-0.4%。

萬博士引用數(shù)據(jù)指出，近年來單晶技術的多項進步使得成本大為降低，對以性價比優(yōu)勢主導市場的多晶產品構成了壓力，多晶技術急需取得新的突破。除了黑硅技術和金剛線切片工藝，多晶技術還可以繼續(xù)加大鑄錠尺寸和硅片尺寸，并研究PERC電池技術的應用。如今，已有企業(yè)應用了多晶黑硅片和PERC技術，量產后可以達到20.5%的轉換效率，說明這一技術具備很大的應用前景。在鑄錠爐升級方面，G6升級為G7后還將降低12%的成本，進一步提高多晶硅片的成本優(yōu)勢。

總體而言，多晶產品的性價比優(yōu)勢是其在市場中占據(jù)主導地位的關鍵，萬博士強調，隨著技術的更新?lián)Q代，多晶硅片在轉換效率和成本方面仍有較大的進步空間?？梢灶A見，未來五年，多晶硅片還將占據(jù)市場的主導地位。

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