近年來,呼和浩特市積極引進中科院、中國工程院等高層次人才,建立院士專家工作站,2018年,中科匯通(內(nèi)蒙古)投資控股有限公司引進中科院力學(xué)所半導(dǎo)體科研力量,由胡文瑞院士牽頭,陳啟生研究員、趙有文研究員、董志遠副研究員以及若干名高端人才組建高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊,建立了半導(dǎo)體材料院士專家工作站,在呼和浩特科技城大學(xué)生創(chuàng)業(yè)園合作開展高品質(zhì)、大尺寸、無微管碳化硅體單晶生長工藝及產(chǎn)業(yè)化項目,目前,該項目獲各級科技專項資金540萬元,已研發(fā)出直徑2-3英寸碳化硅產(chǎn)品,填補了國內(nèi)空白,正籌備進入產(chǎn)業(yè)化。
碳化硅材料具有帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等特征,是當前最先進軍用雷達的核心部件氮化稼基微波功率器件研制的重要單晶襯底材料。部分產(chǎn)品已在地鐵車輛牽引系統(tǒng)、光伏逆變器、混合動力城市客車變流器等領(lǐng)域獲得應(yīng)用,還廣泛應(yīng)用于光電二極管LED 、新一代高效節(jié)能的電力電子器件等領(lǐng)域。
中科匯通(內(nèi)蒙古)投資控股有限公司通過積極轉(zhuǎn)化與中科院力學(xué)研究所、中科院半導(dǎo)體研究所的技術(shù)合作成果,對于碳化硅晶體生長工藝進行了科技研發(fā),控制碳化硅晶體生長的尺寸與質(zhì)量,提高晶體生長工藝穩(wěn)定性,提高碳化硅晶體的加工能力,努力實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
目前,中科匯通已掌握了高純碳化硅粉(99.999%)的合成技術(shù)及2-4英寸無微管碳化硅單晶生長的關(guān)鍵技術(shù),處于國內(nèi)領(lǐng)先水平,有望替代進口半導(dǎo)體材料,為下游行業(yè)提供高質(zhì)量低成本的碳化硅(SiC)單晶圓片。
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碳化硅材料具有帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等特征,是當前最先進軍用雷達的核心部件氮化稼基微波功率器件研制的重要單晶襯底材料。部分產(chǎn)品已在地鐵車輛牽引系統(tǒng)、光伏逆變器、混合動力城市客車變流器等領(lǐng)域獲得應(yīng)用,還廣泛應(yīng)用于光電二極管LED 、新一代高效節(jié)能的電力電子器件等領(lǐng)域。
中科匯通(內(nèi)蒙古)投資控股有限公司通過積極轉(zhuǎn)化與中科院力學(xué)研究所、中科院半導(dǎo)體研究所的技術(shù)合作成果,對于碳化硅晶體生長工藝進行了科技研發(fā),控制碳化硅晶體生長的尺寸與質(zhì)量,提高晶體生長工藝穩(wěn)定性,提高碳化硅晶體的加工能力,努力實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
目前,中科匯通已掌握了高純碳化硅粉(99.999%)的合成技術(shù)及2-4英寸無微管碳化硅單晶生長的關(guān)鍵技術(shù),處于國內(nèi)領(lǐng)先水平,有望替代進口半導(dǎo)體材料,為下游行業(yè)提供高質(zhì)量低成本的碳化硅(SiC)單晶圓片。
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